EPC Space 推出了 EPC7030MSH，这是一款 300 V 抗辐射 GaN FET。该解决方案提供高功率电流额定值，为卫星电源和推进应用树立了新的基准。
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EPC7030MSH
随着卫星制造商过渡到更高电压的电源总线和更苛刻的功率密度，EPC Space 最新的 GaN 器件满足了对紧凑、高效和抗辐射功率转换日益增长的需求。EPC7030MSH专为在极端辐射和热条件下运行的前端 DC-DC 转换器和电力推进系统而设计。
文档显示，该器件的额定工作电压为 300 V，线性能量传输 （LET） 为 63 MeV，LET = 84.6 MeV 时为 250 V。据该公司称，它提供当今市场上所有 300 V 抗辐射 GaN FET 中最低的 RDS（on） 和栅极电荷 （QG）。
EPC Space 首席执行官 Bel Lazar 在一份新闻稿中表示：“EPC7030MSH 300 V RH GaN FET 提供高电流和抗辐射可靠性，满足更高电压太空电源架构的严格要求，并为我们的客户简化热设计。
新型 EPC Space 器件采用密封表面贴装 FSMD-M 格式封装，专为传导冷却和增加爬电距离而设计。它还与现有的 GaN 栅极驱动器兼容，简化了空间合格设计的系统集成。
目标应用包括卫星电源系统中的前端 DC-DC 转换器、高压配电总线以及需要高效、紧凑开关的电力推进系统。
用于太空的 GaN
正如我们所报道的，氮化镓 （GaN） 是一种宽带隙半导体，在几个关键方面优于传统硅——它切换速度更快、运行效率更高、功率损耗更低。在空间应用中，优势尤为重要，因为在太空应用中，系统必须具有极高的功率密度，能够承受恶劣的热条件，并能够承受辐射暴露。这就是 GaN 擅长的地方。这种材料可实现更轻、更高效的设计，同时减轻热管理负担，这是卫星电源系统、航空航天推进电子设备和配电网络的主要优势。简而言之，GaN 帮助工程师解决太空中一些最棘手的挑战：减轻重量、最大限度地提高效率和提高可靠性。
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